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Multigate gerät Stockfotos & Bilder

FINFET Trigate (Multigate) Transistor 3D-Rendermodell. FIN FET Tri Gate Transistor für den Bau von Halbleiterchips und integrierten Schaltungen bei na Stockfoto
RF2CAAFMR–FINFET Trigate (Multigate) Transistor 3D-Rendermodell. FIN FET Tri Gate Transistor für den Bau von Halbleiterchips und integrierten Schaltungen bei na
FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor Stockfoto
RF2EXGMAG–FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor
FINFET Trigate (Multigate) Transistor 3D-Rendermodell. FIN FET Tri Gate Transistor für den Bau von Halbleiterchips und integrierten Schaltungen bei na Stockfoto
RF2CAAFNH–FINFET Trigate (Multigate) Transistor 3D-Rendermodell. FIN FET Tri Gate Transistor für den Bau von Halbleiterchips und integrierten Schaltungen bei na
FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor Stockfoto
RF2EXGMAE–FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor
FINFET Trigate (Multigate) Transistor 3D-Rendermodell. Es wird für den Bau von Halbleiterchips und integrierten Schaltungen im Nano-Maßstab verwendet. Rosa - Tor, Stockfoto
RF2CAAH71–FINFET Trigate (Multigate) Transistor 3D-Rendermodell. Es wird für den Bau von Halbleiterchips und integrierten Schaltungen im Nano-Maßstab verwendet. Rosa - Tor,
FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor Stockfoto
RF2EXGMAK–FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor
FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor Stockfoto
RF2EXGMAJ–FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor
Vergleich von FinFET-Transistoren für 7nm und 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Stockfoto
RF2EXGMAD–Vergleich von FinFET-Transistoren für 7nm und 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für
FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor Stockfoto
RF2EXGMAN–FinFET-Transistoren für 14nm, 10nm, 7 nm, 5nm Technologieknoten des Chip-Herstellungsprozesses. 3D Modelle vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Moor
FinFET-Transistor. 3D Modell vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Halbleitertransistor-Struktur. Stockfoto
RF2EXGMAB–FinFET-Transistor. 3D Modell vergleichen die Größe und Fläche. Abbildung für Halbleitertransistor-Struktur.
FinFET-Transistor-Struktur. Seitenansicht. FIN-Feldeffekttransistor ist ein acvitve-Gerät von Halbleiterchips. 3D Rendermodell. Stockfoto
RF2ED9117–FinFET-Transistor-Struktur. Seitenansicht. FIN-Feldeffekttransistor ist ein acvitve-Gerät von Halbleiterchips. 3D Rendermodell.
FinFET-Transistor-Struktur. Vorderansicht. FIN-Feldeffekttransistor ist ein acvitve-Gerät von Halbleiterchips. 3D Rendermodell. Stockfoto
RF2ED910H–FinFET-Transistor-Struktur. Vorderansicht. FIN-Feldeffekttransistor ist ein acvitve-Gerät von Halbleiterchips. 3D Rendermodell.
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