Ein Prüfmuster der GaN-beschichtete sapphire Substrat mit einer grafischen Darstellung der einzelnen spektralen Eigenschaften Daten.

• Bildanbieter: SciTech Image/James King-Holmes / Alamy Stock Foto
• Bild-ID: K1H927
• Dateigröße: 47,6 MB (1 MB Komprimierter Download)
• Freigaben (Releases): Model - nein | Eigentum - nein
• Format: 3327 x 5000 px | 28,2 x 42,3 cm | 11,1 x 16,7 inches | 300dpi
• Aufnahmedatum: 31. März 2009
• Ort: Manchester, United Kingdom

Weitere Informationen

A test piece of GaN-coated sapphire substrate with a graphic illustration of its spectral characteristics as measured during manufacture. The material was produced in the laboratory of Dr Phillip Dawson in the Department of Photon Science at the University of Manchester in his study of the optical properties of the quantum well structures of gallium nitride and indium/gallium nitride mixtures (InGaN). Gallium nitride is a semiconductor with properties which have lead to increasing use in LED lighting and as laser diode in Blue-ray disc readers

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