. Die Bell System technische Zeitschrift . Verrenkungen, die die sur-Fläche des Kristalls schneiden, ist es zumindest eine relative Angabe der gesamten DIS-Lage-Dichte, und so scheint ein sehr nützlicher Index der kristallattice Perfektion zu sein. Im letzten Jahr wurde eine starke Korrelation zwischen bestimmten elektrischen Eigenschaften von Legierungsanschlussleitungen, insbesondere der Reakdown-Spannung, und der Ätzpitdichte des Materials, auf dem die Legierungsanschlussstelle hergestellt wird, beobachtet. Entsprechend wird nun das für Alloyjunction-Transistoren zu verwendende Material auf der Grundlage seiner maximalen Anzahl von Ätzschachteln ausgewählt

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. The Bell System technical journal . dislocations which intersect the sur-face of the crystal, it is at least a relative indication of the total dis-location density, and thus appears to be a highly useful index of crystallattice perfection. In the last year, evidence of a strong correlation has been observedbetween certain electrical properties of alloy junctions, especially thel)reakdown voltage, and the etch pit density of the material on whichthe alloy junction is made. Accordingly, material to be used for alloyjunction transistors is now selected on the basis of its maximum etchpit count and its freedom from lineage, twin, and grain boundaries. The usual device test requirements on n- or p-type Ge material vary 5 Valdes, L. B., Proc. I.R.E., 40, p. 1420, 1952. « Vogel, F. L., Read W. T., and Lovell, L. C, Phys. Rev., 94, ]). 1791, 1954. Vogel, F. L., Pfann, W. G., Corey, H. E., Thomas, E. E., Physical Review, 90, p. 489, 1953. * Zuk, P., and Westberg, R. W., private communication. SINGLE CRYSTAL BY ZONE LEVELING 643. Fig. 3. — Microphotograph of Typical Etch Pits on (111) Plane. from device to device, but may be summarized as follows: (1) Composition — The donor-acceptor balance No — Na must beaccurately controlled so that the resistivity, p, of the crystal is uniformand falls within acceptable tolerance limits. (2) Macro Perfection — The crystal shall contain no grain boundaries, lineage, or twinning. (3) Micro Perfection — The etch pit density, e, must be lower thana certain empirically determined maximum. (4) Lifetime of Minority Carriers ■— r, must usually be above a certainminimum, although in many cases this minimum may be as low as afew microseconds. Assuming macro perfection a consideration of these requirementsleads directly to the two general objectives mentioned in the intro-duction of this paper: composition uniformity and control, and crystallattice perfection. A third objective, high chemical purity, might also beinferred from the lif

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